Задача

Дамы и господа!

Просьба подсказать решение для задачи. Сам не справляюсь, есть всего 3 попытки на ответ, дважды решал - неправильно. По физике тройка в школе была

Пробовал крутить формулу (http://pveducation.org/pvcdrom/solar-cell-operation/open-circuit-voltage), пробовал ещё пару вариантов. В одну формулу не решается, время, к сожалению, на исходе (это контрольная работа).

Условие:

A single-junction Si solar cell is exposed to AM1.5 irradiation at T = 300 K and a open circuit voltage of Voc=700mV is achieved. The total incident power on the cell is P0=1000W/m2and the light current through the device is 400A/m2. Calculate the reverse bias saturation current Js (A/cm2). Assume ideal diode behavior and take the Si band gap to be Eg=1.12eV

Один p-n переход кремниевой солнечной панели подвергается солнечному излучению (AM спектра = 1.5) при Т = 300 К и напряжении разомкнутой цепи Voc = 700 мВ. Общая мощность на ячейке Р0 = 1000 Ватт/м2, световой ток через устройство 400A/m2. Вычислить обратный ток смещения Js (А/см2). Диод считать идеальным, ширина запрещенной зоны кремния = 1.12eV.

Заранее благодарен за помощь и подсказки по существу..

Всем лучи добра!

С уважением!