Вопросы по азам
Здрасте)
1. При подключении к батарейке(источнику питания) обязательны ли 2 контакта или можно 1 контакт, а второй заземлить?
2. Земля как бы не проводит ток "просто так"(как медный провод, например), как же тогда происходит заземление?
3. Вопрос по колебательному контуру:
Сразу при такой схеме в колебательном контуре бегает туда-сюда заряд.
А почему когда заряд "бежит" из нижней части конденсатора в верхнюю часть его не уйдет на "минус" питания?
Дальше: при замыкании ключа я так понимаю подается заряд на колебательный контур и
делится пополам и бежит на обмотку конденсатора и на катушку.
А что если в это время заряд посланный на нижнюю часть конденсатора возвращается и они столкнутся? Как произойдет столкновение?
4. Вопрос по конструкции конденсатора: можно ли вместо 1 детали использовать 2 и тогда перегородка никогда не пробьется?
5. Вопрос по строению транзистора: вот течет какой-то на него определенный ток от источника, ток подаваемый на управляющий сигнал невелик. Так откуда же возьмется такое усиление тока? Транзистор начнет "запрашивать" у источника больше энергии?
http://alexandr4784.narod.ru/
Откуда: Псков
Кто: книгоиздательство
dia :1. При подключении к батарейке(источнику питания) обязательны ли 2 контакта или можно 1 контакт, а второй заземлить?
2. Земля как бы не проводит ток "просто так"(как медный провод, например), как же тогда происходит заземление?
Если речь о построении, например, радиоэлектронной схемы - два контакта обязательны, при этом принято один из полюсов (чаще всего минусовой) соединять с корпусом устройства (металлическим каркасом на который крепятся платы) и называть это землей. Кстати, каркас можно и заземлить, т.е. соединить с землей и тогда это заземление будет выполнять защитную функцию - предохранять человека от поражения электрическим током. Сопротивление заземления в этом случае должно быть очень маленьким, на это есть ГОСТы.
http://alexandr4784.narod.ru/
Откуда: Псков
Кто: книгоиздательство
dia :4. Вопрос по конструкции конденсатора: можно ли вместо 1 детали использовать 2 и тогда перегородка никогда не пробьется?
Чем толще перегородка, тем меньше емкость конденсатора при сохранении остальных конструктивных особенностей, это всегда компромисс между размером, емкостью, материалом диэлектрика и пробивным напряжением.
5. Вопрос по строению транзистора: вот течет какой-то на него определенный ток от источника, ток подаваемый на управляющий сигнал невелик. Так откуда же возьмется такое усиление тока? Транзистор начнет "запрашивать" у источника больше энергии?
ну я новичок, но возможно, что у транзистора просто сопротивление меньше чем у проводника, резисторов и т.д.
http://alexandr4784.narod.ru/
Откуда: Псков
Кто: книгоиздательство
У транзистора сопротивление может быть разным.
так в чем же причина?
Транзи́стор (от англ. transfer — переносить и resistance — сопротивление или transconductance — активная межэлектродная проводимость и varistor — переменное сопротивление) — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.
Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.).
В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.
Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Международный термин — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 32 нм. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 см²) размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе (см. Закон Мура). Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров.