Транзисторы, внутренняя динамика

Доброго Времени Суток! Пытаюсь разобраться в тех процессах внутри транзистора при активном режиме, которые заставляют его так себя вести.

Вроде как активный режим. Стрелками я указал направления потока электронов для активного режима (впрочем для базы ещё может быть обратного направления), дабы приблизиться к реальным процессам.

Величина примеси в базе очень мала, из-за этого сопротивление велико. В эмиттере же очень велика, а сопротивление мало.

Пускаем ток по рисунку, электроны начинают проскакивать из эмиттера сквозь базу к коллектору, не успев рекомбинировать из-за большой скорости.

И тут возникает вопрос. Но почему же их не остановило большое сопротивление базы?

И второй, ведь переход База-Коллектор очень похож на диод в обратном включении, разве не должно образоваться противодействие току как в диоде, когда дырки базы влекутся электронами в одну сторону, электроны коллектора в другую, а посередине за счёт обеднения области возникает противодействие току?

И третий, что противодействует току, при закрытом транзисторе?

Тогда хотя бы один: что за сила удерживает больший ток и ,к примеру, будет уменьшать его при уменьшении базового?