Логин:   Пароль:  

Соцсети



Ещё в разделе
Опрос

Как вам наш ресурс ?

Отлично
Хорошо
Удов.
Плохо


Результаты
Все опросы

Партнёры

Завершились разработки самого миниатюрного в мире лазера на основе полупроводников

Команда американских ученых Техасского Университета совместно с тайваньскими учеными сумела разработать самый миниатюрный на сегодняшний день лазер на основе полупроводников. В основу изобретения легли передовые достижения в области современных нанотехнол
Автор: Роман Галиброда
Написал: halibroda Дата: 2012-07-27 03:45
Команда американских ученых Техасского Университета совместно с тайваньскими учеными сумела разработать самый миниатюрный на сегодняшний день лазер на основе полупроводников. В основу изобретения легли передовые достижения в области современных нанотехнологий. Новый миниатюрный лазер может стать важной разработкой применительно к таким областям науки и техники, как высокоскоростная передача данных и медицина. Впервые отчет по разработке опубликовал на своих страницах научный журнал Science.


Предполагается, что микроскопические полупроводниковые лазеры помогут совершить прорыв в фотонике. Другими словами, совсем скоро можно будет перейти от технологий передачи сигналов с помощью электронов к совершенно новой технологии передачи импульсов с помощью квантов света, или фотонов. Миниатюризация разработки необходима для того, чтобы открыть возможность разрабатывать сверхбыстрые чипы для компьютеров нового поколения. Кроме этого, миниатюрные лазеры могут применяться для изготовления сверхчувствительных биосенсоров, которые найдут применение в медицине для диагностики сложных заболеваний.

Ранее уже предпринимались попытки по миниатюризации лазерных устройств, однако, линейные размеры полупроводникового лазера ограничивались длиной волны светового излучения. Говоря иначе, размеры устройства полностью зависели от природы света. Благодаря усилиям тайваньских и американских ученых такое ограничение сегодня удалось преодолеть.

Американо-тайваньская разработка создана на основе нанометровой проволоки, состоящей из нитрида галлия и небольшого количества нитрида индия-галлия. Лазер способен излучать зеленый свет, а сама проволока расположена на поверхности кремния. Кремний же нанесен на сверхтонкую серебристую пленку. Стоит отметить, что работа по выбору и совершенствованию материалов для полупроводникового лазера велась тайваньскими учеными под началом профессора Чин-Кан Шина на протяжении 15 лет. По словам изобретателей, важное значение для работы устройства имеет степень «гладкости» серебряной подложки, поверхность которой сконфигурирована с точностью до атома. Именно гладкая подложка позволяет снизить до минимума рассеивание света.

Ученые отмечают, что разработанный полупроводниковый лазер миниатюрных размеров может успешно использоваться в системах передачи данных нового поколения. В таких системах практически отсутствуют потери, которые связаны, в основном, с нагревом, имеющим место в современных устройствах.



Похожие страницы :

Рейтинг:
Комментарии: (0)

Пока комментариев нет
2006-2015г. © Научно-Образовательный портал "Вся Физика"
Копирование материалов с данного сайта разрешено, при условии наличия ссылки на ресурс "Вся Физика"
Страница создана за 0.045 секунды