Логин:   Пароль:  

Соцсети



Ещё в разделе
Опрос

Как вам наш ресурс ?

Отлично
Хорошо
Удов.
Плохо


Результаты
Все опросы

Партнёры

Изготовлен транзистор, в составе которого всего лишь один атом

Журнал Nature Nanotechnology опубликовал результаты работ международной группы ученых, которым удалось создать транзистор, состоящий из одного единственного атома фосфора на кремниевой подложке.
Автор: Роман Галиброда
Написал: Amro Дата: 2012-02-25 01:26
Журнал Nature Nanotechnology опубликовал результаты работ международной группы ученых, которым удалось создать транзистор, состоящий из одного единственного атома фосфора на кремниевой подложке.

Стоит напомнить, что ученые уже достаточно давно научились управлять отдельными атомами. Так в 1990 году ученые из IBM с помощью атомов ксенона выложили на никелевой подложке название своей собственной компании.
Проделать такое стало возможным благодаря использованию сканирующего туннельного микроскопа. В новых опытах физики также использовали туннельный микроскоп в сочетании с литографией.

Изначально поверхность, выполненная из кремния, подверглась воздействию на нее концентрированного фосфина (PH3) при комнатной температуре. Ввиду своих особых химических свойств фосфин начал покрывать кремниевую поверхность таким образом, что водородно-фосфорная пара атомов прикреплялась к одному атому кремния, а третий атом водорода соединялся с соседним (по отношению к первому) атомом кремния.

В результате полученные димеры были сориентированы тройками: каждая последующая тройка атомов кремния располагалась над предыдущей при созерцании поверхности сверху. Стоит отметить, что пары водород-водород-фосфор-кремний и водород-кремний были размещены на поверхности матрицы в шахматном порядке. При нагревании разработанной модели до температуры 350°C происходит замещение одного из атомов кремния на атом фосфора.

Наблюдение за процессом велось при помощи сканирующего туннельного микроскопа, поэтому при достижении температуры 350°C нагревание испытуемого объекта прекращалось. Как говорят физики, уникальной особенностью проведенных экспериментов является высокая точность расположения атомов фосфора. Погрешность в этом случае составляет не более 3,8 ангстрем, что равно размеру кремниевой кристаллической решетки. Для превращения атома в транзистор на некотором расстоянии от него описанным методом были вытравлены контакты.

Таким образом, полученная экспериментальная модель транзистора выглядела следующим образом. Коллектор и эмиттер были расположены по отношению к атому фосфора на расстоянии 9,6 и 9,2 нанометра соответственно. Затвор реализовывался парой контактов, которые располагались перпендикулярно линии размещения эмиттера и коллектора на расстоянии 54 нанометра от атома фосфора. К сожалению, нормально функционировать изготовленный транзистор может только при сверхнизких температурах. Ученые говорят, что новый образец атомного транзистора пока еще очень далек от того, чтобы использовать его на практике, но проведенные эксперименты показывают очень высокий современный уровень развития технологий по миниатюризации электронных устройств.

Источник: www.nature.com


Рейтинг:
Комментарии: (0)

Пока комментариев нет
2006-2015г. © Научно-Образовательный портал "Вся Физика"
Копирование материалов с данного сайта разрешено, при условии наличия ссылки на ресурс "Вся Физика"
Страница создана за 0.054 секунды