Логин:   Пароль:  

Соцсети



Ещё в разделе
Опрос

Как вам наш ресурс ?

Отлично
Хорошо
Удов.
Плохо


Результаты
Все опросы

Партнёры

Фемтосекундные лазеры придут на смену обычным лазерам, используемым в запоминающих устройствах

Американские ученые из Лаборатории Эймса в США сумели найти новый способ управления магнитными состояниями вещества. Руководитель научной группы, Цзи Ган Ван, заявил, что теперь изменять магнитное состояние вещества можно как минимум в 1000 раз быстрее, ч
Автор: Роман Галиброда
Написал: halibroda Дата: 2013-05-15 11:36
Американские ученые из Лаборатории Эймса в США сумели найти новый способ управления магнитными состояниями вещества. Руководитель научной группы, Цзи Ган Ван, заявил, что теперь изменять магнитное состояние вещества можно как минимум в 1000 раз быстрее, чем это было возможно ранее. Таким образом, уже в ближайшее время могут появиться сверхбыстрые запоминающие устройства.


Для переключения магнитных состояний ученые целиком использовали оптический метод. Чтобы управлять состояниями вещества, применялись короткие лазерные импульсы, которые обладали сверхбыстрым воздействием на облучаемые материалы. Так, вещество из антиферромагнитного состояния переходило в ферромагнитное всего за фемтосекунду, то есть за 100 квадриллионных долей секунды. По заявлению ученых, возможности памяти на основе фемтосекундных лазеров ограничиваются лишь временем воздействия импульса. Говоря иначе, скоро можно будет ожидать изобретение и еще более быстрых лазеров — аттосекундных.

На сегодняшний день развитие технологий позволяет производить магнитную память, в основе которой лежит управление состоянием вещества с помощью магнитного поля или же посредством обычного лазера с постоянным излучением. Воздействие лазерного импульса в современных носителях памяти приводит к изменению энергетического состояния атомов, а колебания провоцируют постоянное изменение состояния вещества — то на ферромагнитное, то на антиферромагнитное. Однако, для завершения определенного цикла переходов необходимо время, поэтому в современных магнитных носителях частота изменений не превышает 1 млрд. раз в секунду.

Чтобы преодолеть отмеченное выше ограничение, американские физики использовали явление колоссального магнитосопротивления. Но сложность разработок заключается в том, что колоссальное магнитосопротивление — это квантовомеханическое явление, которое на сегодняшний день слабо изучено. Пока время идет, ученые занимаются поиском возможных границ магнитосопротивления. Параллельно уже была измерена величина ферромагнитности одного из экспериментальных дешевых материалов — манганита. В результате была отмечена высокая фотоиндуцированная магнетизация образца уже после однократного воздействия лазером.


Рейтинг:
Комментарии: (0)

Средняя оценка участников (от 1 до 10) : Пока не оценено   
Проголосовавших: 0
Пока комментариев нет
2006-2015г. © Научно-Образовательный портал "Вся Физика"
Копирование материалов с данного сайта разрешено, при условии наличия ссылки на ресурс "Вся Физика"
Страница создана за 0.056 секунды